报告摘要：

硅材料是信息时代发展的基石，在半导体行业一直占据主导地位，微电子行业早已进入纳米电子器件时代。基于纳米尺度硅材料的可控制备及其新奇性能研究一直面临重大挑战。我们采用化学组装腐蚀工艺研制成功大面积硅纳米线阵列，对纳米线形成及其内部介孔形成机制进行了深入分析，并且基于单根硅纳米线晶体管系统研究了表面分子吸附、分子掺杂对硅纳米线电学性能的影响规律；在此基础上利用硅纳米线阵列在光子捕获方面的优势，研制成功微米纳米复合绒面的光伏陷光结构，在进一步系统优化表面复合基础上，基于微纳结构的光伏器件相对于目前产业技术有一定效率提升。另外我们利用硅微米结构图形衬底进行III族氮化物LED结构外延，成功研制出半极性LED。报告也会简单介绍II-VI族半导体纳米结构晶体管研究方面的最新进展。

报告人简介：

袁国栋，中国科学院半导体研究所研究员，博导。中科院百人计划，国家优秀青年基金获得者，中国科学院大学岗位教授。2006年获浙江大学博士学位。2006至2009年任香港城市大学物理及材料科学系COSDAF研究中心博士后；2009至2011年先后在德国波鸿鲁尔大学电子工程系和德国柏林洪堡大学物理系做博士后，2012年得到中国科学院“百人计划”的资助，在中国科学院半导体研究所工作。2014年获国家优秀青年科学基金。 主要从事低维半导体材料及光电器件研究工作。近年来在Adv. Mater., Angew. Chem. Int. Ed., Nano Lett., ACS Nano,等国内外重要刊物上发表论文60余篇，SCI论文被他引1500多次。